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  • QS8888-2OP图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • QS8888-2OP
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QS8888-35LR产品参数
型号:QS8888-35LR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:QUALITY SEMICONDUCTOR INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85
最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N22
JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4
端子数量:22
字数:16384 words
字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16KX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC22,.3X.5
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
Base Number Matches:1
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