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QS8888-20P产品参数
型号:QS8888-20P
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85
最长访问时间:19 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T22
JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE TAG SRAM
内存宽度:4
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1
端子数量:22
字数:16384 words
字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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