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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 深圳市百域芯科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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RE1C001UNTCL产品参数和技术文档

RE1C001UNTCL产品图

RE1C001UNTCL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.41000
$0.41
10
0.37000
$3.70
100
0.20730
$20.73
500
0.11104
$55.52
1,000
0.07551
$75.51

RE1C001UNTCL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7.1pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:EMT3F(SOT-416FL)

封装/外壳:SC-89,SOT-490

标准包装:1

其它名称:RE1C001UNTCLCT

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