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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RF1S40N10LESM9AR4363的概述

芯片RF1S40N10LESM9AR4363的概述 在现代电子设备中,功率半导体芯片的应用越来越广泛,其中RF1S40N10LESM9AR4363是一款具有极高性能和广泛应用潜力的功率器件。这款芯片采用了新兴的技术,结合了高压和高效率的特点,适合在各种电源管理、替换硅镇流器和开关电源等应用场景中发...
配单直通车
RF1S40N10SM产品参数
型号:RF1S40N10SM
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.32
其他特性:MEGAFET
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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