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RFD3055产品参数和技术文档

RFD3055产品图

RFD3055产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,800
0.32936
$592.85

RFD3055产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 53W(Tc) TO-251AA

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 12A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 20V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):300pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):53W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-251AA

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:75

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