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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 厂家ON/安森美 
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  • 斯普仑科技

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 厂家ON 
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家FAI 
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 厂家HARRIS 
  • 封装TRANS 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量3550 
  • 厂家FAI 
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  • RFD3055LESM9AS2568
  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 批号16+ 
  • 原装正品,假一罚十
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家INTERSIL 
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  • 深圳市胜彬电子有限公司

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  • 数量7683 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT252 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳恒泰威尔科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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RFD3055LESM9A产品参数和技术文档

RFD3055LESM9A产品图

RFD3055LESM9A产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.27055
$676.37
5,000
0.25189
$1,259.45
12,500
0.24878
$3,109.75

RFD3055LESM9A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):107 毫欧 @ 8A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):38W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:RFD3055LESM9ATR

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