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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
制造商:ON Semiconductor
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):107 毫欧 @ 8A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.3nC @ 10V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):38W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252AA
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装:2,500
其它名称:RFD3055LESM9ATR
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