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产品型号RGF1G的Datasheet PDF文件预览

RGF1A THRU RGF1M  
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION  
FAST SWITCHING RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 1.0 Ampere  
DO-214BA  
MODIFIED J-BEND  
FEATURES  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
Ideal for surface mount automotive applications  
High temperature metallurgically bonded construction  
Glass passivated cavity-free junction  
Capable of meeting environmental standards of  
MIL-S-19500  
0.060 (1.52)  
0.040 (1.02)  
0.187 (4.75)  
0.167 (4.24)  
Built-in strain relief  
Easy pick and place  
0.0105 (0.27)  
0.0065 (0.17)  
Fast switching for high efficiency  
High temperature soldering guaranteed:  
450°C/5 seconds at terminals  
0.108 (2.74)  
0.098 (2.49)  
0.118 (3.00)  
0.106 (2.69)  
Complete device submersible temperature of  
265°C for 10 seconds in solder bath  
0.114 (2.90)  
0.152  
TYP.  
0.060 (1.52)  
0.030 (0.76)  
0.094 (2.39)  
0.006  
0.226 (5.74)  
0.196 (4.98)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-214BA molded plastic over glass body  
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Dimensions in inches and (millimeters)  
*Glass-plastic encapsulation technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, brazed-lead assembly by Patent No. 3,930,306 and lead  
forming by Patent No. 5,151,846  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.0048 ounce, 0.120 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS RGF1A  
RGF1B  
RB  
RGF1D  
RD  
RGF1G  
RG  
RGF1J  
RJ  
RGF1K  
RK  
RGF1M UNITS  
RM  
Device Marking Code  
RA  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000 Volts  
280  
700  
Volts  
Maximum DC blocking voltage  
100  
400  
1000 Volts  
Maximum average forward rectified current  
at TL=120°C  
I(AV)  
IFSM  
1.0  
Amp  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
30.0  
Amps  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
Maximum full load reverse current,  
VF  
1.30  
50.0  
Volts  
IR(AV)  
µA  
full cycle average,  
TA=55°C  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=125°C  
5.0  
100  
µA  
IR  
trr  
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)  
Typical junction capacitance (NOTE 2)  
Typical thermal resistance (NOTE 3)  
150  
250  
500  
ns  
CJ  
8.5  
pF  
RΘJA  
RΘJL  
85.0  
28.0  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
NOTES:  
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied Vr=4.0 Volts  
(3) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead  
P.C.B. mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas  
4/98  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES RGF1A THRU RGF1M  
FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK  
FORWARD SURGE CURRENT  
FIG. 1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
30  
25  
20  
15  
10  
5
60 H  
RESISTIVE OR  
INDUCTIVE LOAD  
P.C.B. MOUNTED on  
0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm)  
COPPER PAD AREAS  
Z
T =T max.  
8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE  
(JEDEC Method)  
J
J
1
0.5  
0
100 110 120 130 140 150 160  
175  
LEAD TEMPERATURE, °C  
0
1
10  
100  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD  
CHARACTERISTICS  
10  
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
10  
1
T =125°C  
J
T =25°C  
J
T =100°C  
J
1
PULSE WIDTH=300µs  
1% DUTY CYCLE  
0.1  
0.01  
T =25°C  
J
0.1  
0.01  
0
20  
40  
60  
80  
100  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, %  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS  
FIG. 6 - TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
100  
10  
1
100  
10  
MOUNTED ON 0.2 x 0.2” (5 x 7mm)  
COPPER PAD AREAS  
T =25°C  
J
f=1.0 MH  
Vsig=50mVp-p  
Z
1
0.1  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
t, PULSE DURATION, sec  
REVERSE VOLTAGE, VOLTS  
配单直通车
RGF1G产品参数
型号:RGF1G
是否无铅: 含铅
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-C2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.14
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICAL BONDED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 V
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:0.15 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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