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  • RJK0451DPB-00-J5图
  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家瑞萨电子RENESAS 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家RENESAS-瑞萨 
  • 封装SOT-669 
  • 批号▉▉:2年内 
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RJK0451DPB-00-J5产品参数
型号:RJK0451DPB-00-J5
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:SC-100
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A
最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.0096 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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