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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市赛矽电子有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RSD050N10TL的概述

芯片RSD050N10TL概述 RSD050N10TL是一款高性能的N沟道MOSFET,主要用于电源管理和开关应用。作为一种具有良好特性的场效应晶体管,该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优越的热性能,适合在高频率、高效率的电源设计中发挥关键作用。RSD050N10TL特别适合用于电动车辆、智能电网...
配单直通车
RSD050N10TL产品参数
型号:RSD050N10TL
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:SC-63
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:8.45
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.205 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn98Cu2)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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