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SIHFBE30S Datasheet技术文件下载

SIHFR1N60A-GE3产品参数和技术文档

SIHFBE30S产品图

SIHFR1N60A-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.16000
$1.16
10
1.02500
$10.25
100
0.80970
$80.97
500
0.62796
$313.98
1,000
0.49577
$495.77

SIHFR1N60A-GE3产品参数

品牌:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
详细描述:
表面贴装 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 36W(Tc) TO-252AA
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7 欧姆 @ 840mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
229pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
3,000
其它名称
SIHFR1N60A-GE3TR SIHFR1N60A-GE3TR-ND
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • SIHFBE30S
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司

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