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SIHFR1N60A-GE3产品参数

品牌：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

详细描述：

表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

包装

管件

零件状态

在售

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

1.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

7 欧姆 @ 840mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

14nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

229pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装

3,000

其它名称

SIHFR1N60A-GE3TR SIHFR1N60A-GE3TR-ND

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）