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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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SIHFBE30S产品参数
型号:SIHFBE30S
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.09
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):260 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.1 A
最大漏极电流 (ID):4.1 A
最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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