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    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    • 数量33500 
    • 厂家Vishay 
    • 封装TO-263 
    • 批号25+ 
    • 全新原装★真实库存★含13点增值税票！
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    • 0755-83201583 QQ:2353549508QQ:2885134615
    • SIHFBE30S图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • SIHFBE30S
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    • 厂家VISHAY/威世 
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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 集好芯城

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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • SIHFBE30S-GE3图

    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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    • 艾润（香港)电子有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 香港元动力半导体有限公司

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      SIHFBE30S相关文章

    配单直通车
    SIHFBE30S产品参数
    型号:SIHFBE30S
    是否无铅：含铅
    是否Rohs认证：不符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：VISHAY SILICONIX
    零件包装代码：D2PAK
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
    针数：4
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.09
    Is Samacsys：N
    其他特性：AVALANCHE RATED
    雪崩能效等级（Eas）：260 mJ
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：800 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A
    最大漏极电流 (ID)：4.1 A
    最大漏源导通电阻：3 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-263AB
    JESD-30 代码：R-PSSO-G2
    JESD-609代码：e0
    元件数量：1
    端子数量：2
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：240
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：125 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：30
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
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