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S29GL064M11FFIR2产品参数
型号:S29GL064M11FFIR2
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:LBGA, BGA64,8X8,40
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
最长访问时间:110 ns
其他特性:IT ALSO OPERATES AT 2.7 TO 3.6 V SUPPLY FULL VOLTAGE RANGE
备用内存宽度:8
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B64
JESD-609代码:e1
长度:13 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:128
端子数量:64
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA64,8X8,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小:4/8 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.4 mm
部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11 mm
Base Number Matches:1
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