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| 型号: | S29JL064H60BAI000 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | 12 X 11 MM, FPBGA-63 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 60 ns |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM/TOP |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 63 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3 V |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11 mm |
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