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  • S34MS02G200TFV003图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • S34MS02G200TFV003
  • 数量1000 
  • 厂家CYPRESS 
  • 封装IC 
  • 批号21+ 
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  • QQ:97877807
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • S34MS02G200TFV003
  • 数量3565 
  • 厂家Cypress 
  • 封装48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽) 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • S34MS02G200TFV003图
  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • S34MS02G200TFV003
  • 数量35898 
  • 厂家CypressSemiconductorCorp 
  • 封装
  • 批号21+ 
  • ■原装现货长期供应电子元器件代理经销WWW.ZN-IC.COM
  • QQ:2881664480
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • S34MS02G200TFV003
  • 数量6500000 
  • 厂家英飞凌/赛普拉斯 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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配单直通车
S34MS04G100BHI000产品参数
型号:S34MS04G100BHI000
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:BGA-63
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.82
最长访问时间:45 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:11 mm
内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:63
字数:536870912 words
字数代码:512000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.000045 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:SLC NAND TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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