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  • SI3831DV-T1-E3图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • SI3831DV图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • SI3831DV
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  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOT-163 
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  • SI3831DV图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • SI3831DV
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  • 厂家VISHAY / SILICONIX 
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  • SI3831DV-T1-E3图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • SI3831DV-T1-E3
  • 数量6500000 
  • 厂家威世/硅尼克斯 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • SI3831DV ZXTP19100CGTA图
  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • SI3831DV ZXTP19100CGTA
  • 数量8580 
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  • 封装SOT-163SO 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • SI3831DV-T1-E3
  • 数量12500 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOT-163 
  • 批号2023+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • SI3831DV-T1-E3
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装SOT-163 
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • SI3831DV
  • 数量35600 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOT-163 
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  • 深圳芯源达电子有限公司

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  • SI3831DV-T1-E3
  • 数量32800 
  • 厂家Vishay Siliconix 
  • 封装6-TSOP 
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SI3831DV产品参数
型号:SI3831DV
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP
包装说明:,
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.06
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.5 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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