SI6459BDQ-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 2.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-TSSOP

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

标准包装：3,000

其它名称：SI6459BDQ-T1-E3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）