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| 型号: | SIGC03T60E |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | Single |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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