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SIGC25T120C产品参数
型号:SIGC25T120C
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.59
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):32 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUUC-N3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):470 ns
标称接通时间 (ton):100 ns
Base Number Matches:1
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