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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • SKM150GB128D 其他IC
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 厂家SEMIKRON 
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 厂家SEMIKRON 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家CYSTECH-全宇昕 
  • 封装TO-277 
  • 批号▉▉:2年内 
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SKM150GAL101D产品参数
型号:SKM150GAL101D
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SEMIKRON INTERNATIONAL
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:1
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1000 W
最大功率耗散 (Abs):1000 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):700 ns
标称接通时间 (ton):150 ns
VCEsat-Max:4 V
Base Number Matches:1
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