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| 型号: | SN65MLVD2DRBT |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SON |
| 包装说明： | HVSON, SOLCC8,.12,25 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 5A991.B.1 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.35 |
| Is Samacsys： | N |
| 差分输出： | NO |
| 驱动器位数： | 1 |
| 高电平输入电流最大值： | 0.00001 A |
| 输入特性： | DIFFERENTIAL |
| 接口集成电路类型： | LINE RECEIVER |
| 接口标准： | EIA-899; TIA-899 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 3 mm |
| 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 最小输出摆幅： | 0.48 V |
| 输出特性： | TOTEM-POLE |
| 最大输出低电流： | 0.008 A |
| 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | SOLCC8,.12,25 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大接收延迟： | 6 ns |
| 接收器位数： | 1 |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 子类别： | Line Driver or Receivers |
| 最大压摆率： | 25 mA |
| 最大供电电压： | 3.6 V |
| 最小供电电压： | 3 V |
| 标称供电电压： | 3.3 V |
| 电源电压1-最大： | 3.6 V |
| 电源电压1-分钟： | 3 V |
| 电源电压1-Nom： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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