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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 厂家Infineon Technologies 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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SPB80N03S2L05T产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2

制造商:Infineon Technologies

系列:OptiMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:Digi-Key 停产

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 55A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 110µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):89.7nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3320pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):167W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TO263-3-2

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:SP000016255

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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