SPB80N03S2L05T产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2

制造商：Infineon Technologies

系列：OptiMOS™

包装：带卷（TR）

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.9 毫欧 @ 55A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 110µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：89.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3320pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO263-3-2

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：1,000

其它名称：SP000016255

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）