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SPD30N06S2L-13产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3

制造商:Infineon Technologies

系列:OptiMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):69nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):136W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:P-TO252-3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:SP000012478 SPD30N06S2L13T

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