SPD30N08S2-22产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 75V 30A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3

制造商：Infineon Technologies

系列：OptiMOS™

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：21.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：57nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1950pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：P-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：SP000013153 SPD30N08S222T