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SQ4284EY-T1-GE3产品参数
型号:SQ4284EY-T1-GE3
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.028 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):116 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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