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  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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SQ4080EY-T1_GE3产品参数和技术文档

SQ4080EY-T1_GE3产品图

SQ4080EY-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.64432
$1,610.81

SQ4080EY-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO

详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):33nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1590pF @ 75V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):7.1W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SQ4080EY-T1_GE3TR

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