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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 原装原包现货支持实单
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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:33元
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  • 香港元动力半导体有限公司

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配单直通车
SQM110P06-8M9L-GE3产品参数
型号:SQM110P06-8M9L-GE3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):211 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):110 A
最大漏源导通电阻:0.0089 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):230 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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