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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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产品型号SQM120N10-3M8_GE3的产品参数和SQM120N10-3M8_GE3的使用说明

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SQM120N10-3M8_GE3产品参数
型号:SQM120N10-3M8_GE3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.67
雪崩能效等级(Eas):266 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.0038 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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