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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芯宇恒科技有限公司

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SQM200N04-1M1L_GE3产品参数和技术文档

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SQM200N04-1M1L_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
2.18506
$1,748.05

SQM200N04-1M1L_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):413nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20655pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):375W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-263-7

封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

标准包装:800

其它名称:SQM200N04-1M1L-GE3 SQM200N04-1M1L-GE3-ND

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