SQM200N04-1M1L_GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.1 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：413nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：20655pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263-7

封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

标准包装：800

其它名称：SQM200N04-1M1L-GE3 SQM200N04-1M1L-GE3-ND