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| 型号: | SSG200EF60E |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N4 |
| 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N4 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 900 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 290 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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