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| 型号: | SST26VF032-80-5I-S2AE-T |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended |
| IHS 制造商： | MICROCHIP TECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.46 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 80 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 100 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000015 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE |
| 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
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