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STB100NF04T4产品参数和技术文档

STB100NF04T4产品图

STB100NF04T4产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
2.02860
$2,028.60

STB100NF04T4产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET™ II

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):150nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5100pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):300W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:497-5951-2

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