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STD10N60DM2产品参数和技术文档

STD10N60DM2产品图

STD10N60DM2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.80355
$2,008.88

STD10N60DM2产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8A(Tc) 109W(Tc) DPAK

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):530 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):529pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):109W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:497-16924-2

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