STD10N60DM2产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8A（Tc） 109W（Tc） DPAK

制造商：STMicroelectronics

系列：MDmesh™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：530 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：529pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：109W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：497-16924-2