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  • STD12N50DM2图
  • 八零友创集团

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  • STD12N50DM2 现货库存
  • 数量685600 
  • 厂家ST 
  • 封装SOP/NA 
  • 批号22+ 
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  • STD12N50DM2图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量1675 
  • 厂家STM 
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  • 集好芯城

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  • STD12N50DM2
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  • 厂家STMicroelectronics 
  • 封装 
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  • 深圳市新力诚科技有限公司

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  • STD12N50DM2
  • 数量10000 
  • 厂家ST/意法 
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  • 批号2021+ 
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  • QQ:2470148556QQ:932726535
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  • STD12N50DM2图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • STD12N50DM2
  • 数量9328 
  • 厂家ST-意法半导体 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥15.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • STD12N50DM2图
  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • STD12N50DM2
  • 数量58200 
  • 厂家ST/意法 
  • 封装NA 
  • 批号21+ 
  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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配单直通车
STD12N50M2产品参数
型号:STD12N50M2
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.68
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):85 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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