STD1NK60-1产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

详细描述：通孔 N 沟道 600V 1A（Tc） 30W（Tc） I-PAK

制造商：STMicroelectronics

系列：SuperMESH??

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：156pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I-PAK

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

标准包装：75

其它名称：497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601