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STD50N03L产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 60W(Tc) DPAK

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™ III

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1434pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:497-7970-2 STD50N03L-ND

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