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  • 厂家ON/安森美 
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  • 封装DPAK 
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  • 封装DPAK 
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ST-意法半导体 
  • 封装TO-252-3 
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  • ▉▉¥8.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 封装DPAK 
  • 批号24+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 封装TO-252-3, DPak , SC-63 
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  • 封装TO252DPAK 
  • 批号2023 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 封装NA/ 
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产品型号STD5N20LT4的概述

芯片STD5N20LT4概述 STD5N20LT4是一款广泛应用于功率电子领域的N沟道MOSFET器件,具有出色的电气性能和热特性。这种半导体器件通常被用于开关电源、功率调节电路及反向接入二次电源等应用。STD5N20LT4由意法半导体(STMicroelectronics)公司生产,专为高效率、低损耗的应用而设计。 STD5N20LT4的详细参数 STD5N20LT4的主要电气参数包括以下几点: 1. 漏极至源极电压(VDS):最大值为 200V,能够承受较高的电压。 2. 额定电流(ID):在25°C时最大直流电流为 5A,适用于中等功率的应用。 3. 栅极至源极电压(VGS):最大值为±20V,符合大部分控制信号的需求。 4. 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时为0.65Ω,表现出优良的导通性能,降低了在导通状态下的功耗。 5. 最大功耗(PD):在25°C时为55W...

产品型号STD5N20LT4的Datasheet PDF文件预览

STD5N20L  
N-CHANNEL 200V - 0.65- 5A DPAK  
STripFET™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
Pw  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STD5N20L  
200 V  
< 0.7  
5 A  
33 W  
TYPICAL R (on) = 0.65 @ 5V  
DS  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
LOW INPUT CAPACIATNCE  
LOW THRESHOLD DEVICE  
3
1
DESCRIPTION  
The STD5N20L utilizes the latest advanced de-  
sign rules of ST’s proprietary STripFET™ technol-  
ogy. This is suitable for the most demanding DC  
Motor Control and lighting application.  
DPAK  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
UPS AND MOTOR CONTROL  
LIGHTING  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STD5N20LT4  
D5N20L  
DPAK  
TAPE & REEL  
Rev. 3  
September 2004  
1/10  
NEW DATASHEET ACCORDING TO PCN DSG-TRA/04/532  
STD5N20L  
Table 3: Absolute Maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
200  
±20  
5
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 k)  
V
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
3.6  
20  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
33  
W
C
Derating Factor  
0.27  
W/°C  
T
Storage Temperature  
Operating Junction Temperature  
stg  
55 to 150  
°C  
T
j
( ) Pulse width limited by safe operating area  
Table 4: Thermal Data  
Rthj-case  
Rthj-amb  
Thermal Resistance Junction-case Max  
3.75  
100  
275  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction-ambient Max  
T
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose  
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
CASE  
Table 5: On/Off  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Drain-source  
I
D
= 250 µA, V = 0  
200  
V
(BR)DSS  
GS  
Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage  
I
V
V
V
= Max Rating  
1
µA  
µA  
nA  
DSS  
DS  
Drain Current (V = 0)  
GS  
= Max Rating, T = 125°C  
10  
DS  
C
I
Gate-body Leakage  
= ±20V  
±100  
GSS  
GS  
Current (V = 0)  
DS  
V
V
V
= V , I = 50µA  
Gate Threshold Voltage  
1
2.5  
0.7  
V
GS(th)  
DS  
GS  
D
R
Static Drain-source On  
Resistance  
= 5 V, I = 2.5 A  
0.65  
DS(on)  
GS  
D
2/10  
STD5N20L  
Table 6: Dynamic  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
= 15 V, I 5 A  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
g
fs  
(2)  
Forward Transconductance  
V
6.5  
S
DS  
D =  
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
V
= 25V, f = 1 MHz, V = 0  
242  
44  
6
pF  
pF  
pF  
iss  
DS  
GS  
C
oss  
C
rss  
t
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
V
= 100 V, I = 2.5 A  
11.5  
21.5  
14  
ns  
ns  
ns  
ns  
d(on)  
DD  
D
t
r
R = 4.7Ω, V = 5V  
G GS  
(Resistive Load see Figure 14)  
t
d(off)  
15.5  
t
f
Q
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
V
V
= 160 V, I = 5 A,  
= 5V  
5
1.5  
3
6
nC  
nC  
nC  
g
DD  
D
Q
gs  
gd  
GS  
Q
Table 7: Source Drain Diode  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
5
Unit  
A
I
Source-drain Current  
Source-drain Current (pulsed)  
Forward On Voltage  
SD  
I
(*)  
20  
A
SDM  
V
SD  
(1)  
I
= 5 A, V = 0  
1.5  
V
SD  
GS  
t
Q
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
93  
237  
5.1  
I
V
= 5 A, di/dt = 100 A/µs,  
ns  
nC  
A
rr  
SD  
= 100 V, T = 25°C  
rr  
DD  
j
I
(see test circuit, see Figure 15)  
RRM  
t
Q
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
97  
286  
5.9  
I
V
= 5 A, di/dt = 100 A/µs,  
ns  
nC  
A
rr  
SD  
= 100 V, T = 150°C  
rr  
DD  
j
I
(see test circuit, see Figure 15)  
RRM  
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
(2) Starting T =25 °C, I = 5 A, V = 50 V  
j
d
DD  
(*) Pulse width limited by safe operating area  
3/10  
STD5N20L  
Figure 3: Safe Operating Area  
Figure 6: Thermal Impedance  
Figure 4: Output Characteristics  
Figure 7: Transfer Characteristics  
Figure 5: Transconductance  
Figure 8: Static Drain-source On Resistance  
4/10  
STD5N20L  
Figure 9: Gate Charge vs Gate-source Voltage  
Figure 12: Capacitance Variations  
Figure 10: Normalized Gate Thereshold Volt-  
age vs Temperature  
Figure 13: Normalized On Resistance vs Tem-  
perature  
Figure 11: Source-Drain Diode Forward Char-  
acteristics  
5/10  
STD5N20L  
Figure 14: Switching Times Test Circuit For  
Resistive Load  
Figure 16: Gate Charge Test Circuit  
Figure 15: Test Circuit For Inductive Load  
Switching and Diode Recovery Times  
6/10  
STD5N20L  
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
2.20  
0.90  
0.03  
0.64  
5.20  
0.45  
0.48  
6.00  
6.40  
4.40  
9.35  
TYP.  
MAX.  
2.40  
1.10  
0.23  
0.90  
5.40  
0.60  
0.60  
6.20  
6.60  
4.60  
10.10  
MIN.  
0.087  
0.035  
0.001  
0.025  
0.204  
0.018  
0.019  
0.236  
0.252  
0.173  
0.368  
MAX.  
0.094  
0.043  
0.009  
0.035  
0.213  
0.024  
0.024  
0.244  
0.260  
0.181  
0.398  
A
A1  
A2  
B
B2  
C
C2  
D
E
G
H
L2  
L4  
V2  
0.8  
0.031  
0.60  
0o  
1.00  
8o  
0.024  
0o  
0.039  
0o  
P032P_B  
7/10  
STD5N20L  
DPAK FOOTPRINT  
TUBE SHIPMENT (no suffix)*  
All dimensions  
are in millimeters  
All dimensions are in millimeters  
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*  
REEL MECHANICAL DATA  
mm  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
330 12.992  
inch  
DIM.  
A
B
C
D
G
N
T
1.5  
12.8  
20.2  
16.4  
50  
0.059  
13.2 0.504 0.520  
0.795  
18.4 0.645 0.724  
1.968  
22.4  
0.881  
BASE QTY  
BULK QTY  
2500  
TAPE MECHANICAL DATA  
2500  
mm  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
6.8 0.267 0.275  
10.4 10.6 0.409 0.417  
12.1 0.476  
inch  
DIM.  
A0  
B0  
B1  
D
7
1.5  
1.5  
1.6 0.059 0.063  
0.059  
D1  
E
1.65 1.85 0.065 0.073  
7.4 7.6 0.291 0.299  
2.55 2.75 0.100 0.108  
F
K0  
P0  
P1  
P2  
R
3.9  
7.9  
1.9  
40  
4.1 0.153 0.161  
8.1 0.311 0.319  
2.1 0.075 0.082  
1.574  
W
15.7  
16.3 0.618 0.641  
* on sales type  
8/10  
STD5N20L  
Table 8: Revision History  
Date  
Revision  
Description of Changes  
08-June-2004  
20-Sep-2004  
2
3
New Stylesheet. Datasheet according to PCN DSG-TRA/04/532  
Changes on Table 3, and on Figure 3.  
9/10  
STD5N20L  
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10/10  
配单直通车
STD5N20LT4产品参数
型号:STD5N20LT4
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.61
Samacsys Description:STMicroelectronics STD5N20LT4 N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 200 V, 3-Pin DPAK
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
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