STD7NM80产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK

制造商：STMicroelectronics

系列：MDmesh™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.05 欧姆 @ 3.25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：620pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：90W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：497-8807-2 STD7NM80-ND