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STI8N65M5产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 70W(Tc) I2PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ V

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):690pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):70W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:50

其它名称:497-11333-5

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