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STP65NF06产品参数和技术文档

STP656F产品图

STP65NF06产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.93000
$1.93
10
1.74300
$17.43
100
1.40040
$140.04
500
1.08916
$544.58
1,000
0.90245
$902.45

STP65NF06产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™ II

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):75nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):110W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-7529-5 STP65NF06-ND

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