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STP65NF06产品参数
型号:STP65NF06
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:6.35
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/222430.1.2.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=222430
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=222430
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=222430
Samacsys PartID:222430
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/STP65NF06.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/STP65NF06.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-220
Samacsys Released Date:2015-07-28 08:51:58
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):390 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):60 A
最大漏源导通电阻:0.014 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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