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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市金启宁科技有限公司

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STP7NM50N产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ II

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):780 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-7531-5 STP7NM50N-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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