SUD19N20-90-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：51nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1800pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），136W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

其它名称：SUD19N20-90-E3TR SUD19N2090E3