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  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市南方世兴科技有限公司

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SUD19N20-90-E3产品参数和技术文档

SUD17N25-165-T1-E3产品图

SUD19N20-90-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
1.72955
$3,459.09

SUD19N20-90-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 19A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):51nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1800pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Ta),136W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

其它名称:SUD19N20-90-E3TR SUD19N2090E3

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