MicroFET功率开关（飞兆）

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的热阻。FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench®技术，封装为2.0mmx1.6mmSC-75，较3x3mmSSOT-6封装及SC-70封装体积分别减小65%和20%。 这些2.0mmx1.6mmMicroFET功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mmx3mmSSOT-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的PCB空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5V栅极驱动电压下运作的特性。 FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z的主要特性包括： -节省空间，因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20% -确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求 -出色的电气性能和热性能 -RDS(ON)160mΩ@VGS=-2.5V -热阻89۫۫C/W 飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件，瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能MOSFET适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。 FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z采用无铅(Pb-free)端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDECJ-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。 供货：现提供样品 交货期：收到订单后12周内