DDR3为存储器应用带来新的技术优势

主流存储器从FPM和EDO到SDR和DDR，再到DDR2 ，这种发展带来了先进的架构、更高的密度、更快的速度、更低的电源电压、更高的带宽和更低的功耗。

这些显著的技术进步提升了DRAM技术—尤其是将运算市场部分提高到更高的性能水平。

DRAM技术上取得的进步伴随着多内核处理器的出现、新的操作系统，以及跨多种不同运算平台和应用的越来越多的不同要求，包括服务器、工作站、海量存储系统、超级计算机、台式电脑和笔记本电脑和外设。存储器技术的每次转变，对存储器的考虑都变得越来越复杂，但是如果清楚了解了主流的存储器如何发展的，以及其中出现的一些折中，设计师就可以选择能很好地满足他们的平台、操作系统和应用的高性能存储器。

速度问题

在DDR技术之前是SDR技术，在SDR技术之前，有快速页/扩展数据输出(FP/EDO)存储器。FP/EDO存储器的数据传输是异步的，意味着数据/地址/命令信号没有供参考的时钟信号。SDR技术通过提供一个时钟输入改善了这个问题，这些信号可以以这个时钟信号为基准，在时钟的上升沿(从低到高的转变)发送数据。利用与系统时钟同步的DRAM时钟引脚，可以获得比异步存储器高很多的数据速率。

在2000年，市场上引入了DDR SDRAM。DDR技术通过在时钟的上升沿和下降沿传送数据，使速度相对于SDR倍增。采用DDR，每个时钟周期传送两个数据位(每根数据线)，而不是SDR的一个位。为了实现这一点，在每个时钟周期内每个数据线访问存储器阵列(数据实际存储的位置)的两个数据位。这种过程称为2字或2n预取。这里的内核时钟周期是指存储器阵列的周期时间，存储器阵列的频率为I/O缓冲器的一半和1/4的数据速率。预取使速度不断提高，改善效率并增强性能。

DDR2 SDRAM功能非常类似于DDR SDRAM，但是它的一些新特性使得速度更快，DDR3以DDR2为起点，获得更大的技术进步。DDR具有2n预取，DDR2具有4n预取，DDR3具有8n预取。DDR3的内部数据周期时间为外部时钟速度的1/8，内部数据总线的宽度为外部数据总线宽度的8倍。DDR3在每个内核时钟周期内，每根数据线从存储器阵列移出8个数据位到I/O缓冲器中。

其他增强带宽的特性包括更低的终结电阻(RTT)值以支持更高的数据率。对于DDR2，其起始值为50Ω，DDR3的起始值为20Ω。

DDR3的技术优势

DDR3实现了一系列的技术改善，这些改善强调更快的速度和更高的性能。DDR3器件设计用于高速信号，改善的引脚排列提供了更多的电源和地，这样能实现更优的电源供电。改善的电源分布和地以及改善的基准信号，这些加在一起共同改善了信号质量。DDR3 D/Q阵列减小了D/Q失真，使D/Q时序更紧凑，而全面布局的球珊改善了机械可靠性。

1．峰值性能提高

因为DDR3的性能是DDR2的两倍，DDR3在DDR2的基础上速度进一步提高。DDR3的最低速率为每秒800Mb，最大为1,600Mb。当采用64位总线带宽时，DDR3能达到每秒6,400Mb到12,800Mb。

2．电源电压

DDR3的电源电压降低到1.5V，与标准的1.8V DDR2相比，低20%。这对于低数据速率的应用来说特别重要，例如移动计算。在移动计算应用中节省15%到20%的功率非常重要，因为在这种应用中功率是很重要的性能指标。DDR3的低功耗特性同样对于笔记本应用来说具有重要的优势。