闪速存储器的分类及特征

闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND几类。NAND闪速存储器单元的连接方式如图1所示，NOR闪速存储器如图2所示，DINOR闪速存储器如图3所示，AND闪速存储器单元的结构如图4所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型的单元都是并联的。

表 闪速存储器的单元方式

NOR闪速存储器以读取速度100ns的高速在随机存取中受到人们的青睐。但由于其单元尺寸大于NAND闪速存储器，存在着难以进行高度集成的问题。写人时采用CHE（Channel HotElectron，沟道热电子）方式，即在栅－漏之间加上高电压，提高通过沟道的电子能量，向浮置栅中注入电荷。这样，由于损耗电流变大，在写入时必须由外部其他途径提供＋12V左右的电源，因而不适合低电压操作。

图1 NAND闪速存储器的单元结构

图2 NOR闪速存储器的单元结构

与NOR闪速存储器相比较，东芝公司开发的NAND闪速存储器却能够进行高度集成，写人方式也因采用了被称为隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效应现象，故与NOR闪速存储器相比，具有损耗电流较小的特征。但在另一方面，由于单元是串联连结的，所以面向顺序存取，具有随机存取速度慢的缺点。

图3 DINOR闪速存储器的单元结构

三菱与日立结合NAND及NOR闪速存储器的特点，开发了DINOR（Divided bit－line 数据线（位线）分离成主数据线与子数据线的层次，通过各个存储器单元与子数据线的连接，既可以具有像NAND那样的高度可集成性，又具各与NOR同等程度以上的高速随机存取性。因为写人操作也采用了隧道方式，所以较小的写入电流就可完成写人操作。又因数据置换所需要的高电压升压电路可以设计于芯片内部，因此可以进行低电压的单一电源操作。

图4 AND闪速存储器的单元结构

AND闪速存储器单元的源线也设计了分离的子源线，是倾向于顺序存取的产品。除了能够以与硬盘一个扇区相同的512字节大小的小块单位进行写人及读取操作以外，还具有DINOR的低功耗特长，可以面向硅盘等展开应用。单元的连接方式与NOR闪速存储器相同，写入逻辑为反相（NOR写人时Vth变高，而AND式则降低），命名为AND式。现在的NOR闪速存储器也致力于改良，目的在于将写人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通过单元物理结构上的改善等，使低电压单一电源类型的闪速存储器也形成产品。以文件为使用目的的AND及NAND两种类型的闪速存储器目前已在市场上流通，应用于大容量的Flash ATA卡等方面。

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