EEPROM的基本的存取操作
日期:2008-11-19M280l0基本的存取过程与闪速存储器完全相同,只包括对器件的读操作及写操作两种。擦除以及保护功能等可以通过写操作发出一系列的指令序列来进行。1. 读操作 EEPROM的读操作如图1所示。注意事项与闪速存储器的基本相同,因此这方面请参考闪速存储器的注意事项。赋予地址,使E和G有效,然后等待一定时间后出现数据。这样,主机提取该数据,然后使E和G无效,结束存取周期。
图1 EEPROM的读操作
因为与串行EEPROM不同,它不与时钟同步运行,所以需要参考数据手册中的存取时间等,设计成在只经过认为数据确实被确定的时间后,主机再进行数据读操作。虽然不必太介意像ISA总线那样的低速总线,但像目前的处理器那样,如果外部总线的操作较快,则在外部需要增加让CPU等待的电路,以调整时序。
2. 写操作 EEPROM的写操作也与闪速存储器相同,包括利用W信号控制(W写控制)和利用E信号控制(E写控制)两种方法,图2和图3简单说明了这两种方法的操作。
图2 EEPROM的写操作(1)(w写控制)
图3 EEPROM的写操作(2)(E写控制)
无论哪种方法,在E或W延迟有效的下降沿,地址被提取,而在提前无效的一方的上升沿,数据被提取。
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