共基极电路的应用电路

使用PNP晶体管、电压增益为20dB的共基极放大电路。PNP晶体管的发射极电流由于电流方向是流进器件的，所以如图所示，发射极为正电源一侧。但是，仅仅是电流的方向不同，而基本电路结构则与图6.2完全没有什么变化。

因此，电路的设计方法也完全相同。

使用NPN晶体管与负电源的共基极放大电路

使用NPN晶体管与负电源的，电压增益为14dB（5倍）的共基极放大电路。在只有负电源时，就为这样的电路。

即使使用负电源，其基本的电路结构STV205BT48T$QB.html" target="_blank" title="STV205BT48T$QB">STV205BT48T$QB也完全没有什么变化。与使用正电源时不同的地方是正电源为GND，GND成为负电源。因此，电路的设计方法也与使用正电源的电路完全相同。

但是，因为使用负电源，所以必须十分注意电解电容的极性。

使用正负电源的共基极放大电路

是使用正负两个电源的、电压增益为lOdB的共基极放大电路。

与共发射极电路和射极跟随器等一样，采用正负电源可以将基极偏置在OV来使用（即使基极为OV，也可以使发射极电阻产生压降，而使发射极电流流动）。

所以该电路将基极直接接GND（这是真正的基极接地？！），而不要基极偏置电路，为此电路变得简单。

如该电路所示，没有加入限制电流的电阻。但是，不必担心，因为即使将晶体管的基极接GND(电源)，在晶体管上流进基极的电流也被发射极电流限制在某个值（发射极电流的l/hFE）。

还有，在共发射极电路和射极跟随器中，使用正负电源，使基极电位为0。由此，可以去掉输入侧的耦合电容。但是，在共发射极电路中，即使基极为OV，实际上能加入信号的地点（图6.13的A点）的电位不为O，所以不能取消耦合电容。

在使用正负电源时，必须注意耦合电容的极性（显然，电位高的一侧为正极）。

关于电路各部分参数的求法，由于仅是基极电位为OV，所以与通常的共基极电路完全相同。