电子线路中的150V NPN中等功率晶体管

特征

BVCEO> 150V

IC = 4A高连续集电极电流

ICM = 10A峰值脉冲电流

TJ高达200°C，适用于高温操作

•低饱和电压<100mV @ 1A

•PD = 1.2W功耗

•互补NPN类型：ZTX955

•无铅表面处理; 符合RoHS标准（注1和2）

•卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

•符合AEC-Q101高可靠性标准

机械数据

•外壳：E-Line（兼容TO-92）

•表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物

•UL可燃性分类等级94V-0

•端子：表面处理 - 磨砂镀锡引线，可焊接

MIL-STD-202，方法208

•重量：0.159克（近似值）

最大额定值（@TA = + 25°C，除非另有说明。）

特征符号值单位

集电极 - 基极电压VCBO 250 V.

集电极 - 发射极电压VCEO 150 V.

发射极 - 基极电压VEBO 6 V.

连续集电极电流IC 4 A.

峰值脉冲电流ICM 10 A.

热特性（@TA = + 25°C，除非另有说明。）

特征符号值单位

功耗（注5）PD 1.58 W

功耗（注6）PD 1.2 W

热阻，结至环境（注5）RΘJA150°C / W.

热阻，结至环境（注6）RΘJA为110°C / W.

热电阻，引线与引线（注7）RΘJC50°C / W.

操作和存储温度范围TJ，TSTG -55至+ 200°C

ESD评级（注8）

特征符号值单位JEDEC类

静电放电 - 人体模型ESDHBM4,000V 3A

静电放电 - 机器型ESDMM400V C.

注：5。对于安装在底座平面（2.5mm引线长度）的通孔器件，集电极引线为25mm x 25mm 1oz铜，位于

单面FR4 PCB; 在静止空气条件下测量装置，同时在稳态下操作。

6.与注释（5）相同，不同之处在于器件安装在最小推荐焊盘布局上，从封装底部到电路板的引线长度为12mm。

7.从座位平面处的结点到焊点的热阻（沿着集电极引线的封装底部2.5mm）。

8.参考JEDEC规范JESD22-A114和JESD22-A115。

产品规格

产品分类： 双极晶体管 - BJT

RoHS指令： 细节

安装方式： 通孔

包装/案例： TO-92-3

晶体管极性： NPN

组态： 单

集电极 - 发射极电压VCEO Max： 150伏

集电极 - 基极电压VCBO： 250伏

发射极 - 基极电压VEBO： 6 V

集电极 - 发射极饱和电压： 210 mV

最大直流集电极电流： 4 A.

增益带宽产品fT： 90 MHz

最低工作温度： - 55 C.

最高工作温度： + 150 C

系列： ZTX855

高度： 4.01毫米

长度： 4.77毫米

打包： 块

宽度： 2.41毫米

牌： Diodes Incorporated

连续收集器电流： 4 A.

CNHTS： 8541210000

HTS代码： 8541210095

MXHTS： 85412101

Pd - 功耗： 1.2 W

产品类别： BJTs - 双极晶体管

工厂包装数量： 4000

类别： 晶体管

TARIC： 8541210000

单重： 0.016000盎司

电气特性（@TA = + 25°C，除非另有说明。）

特征符号最小值典型最大单位测试条件

集电极 - 基极击穿电压BVCBO 250 375 - V IC =100μA

集电极 - 发射极击穿电压BVCER 250 375 - V IC =1μA，RB≤1kΩ

集电极 - 发射极击穿电压（注9）BVCEO 150 180 - V IC = 1mA

发射极 - 基极击穿电压BVEBO 6 8 - V IE =100μA

集电极 - 基极截止电流ICBO - - 50 1

nA的

μA

VCB = 200V

VCB = 200V，@ TA = + 100°C

集电极 - 发射极截止电流ICER

R≤1kΩ - - 50

1

nA的

μA

VCB = 200V

VCB = 200V，@ TA = + 100°C

发射极 - 基极截止电流IEBO - - 10 nA VEB = 6V

集电极 - 发射极饱和电压（注9）VCE（sat） -

毫伏

IC = 100mA，IB = 5mA

IC = 500mA，IB = 50mA

IC = 1A，IB = 100mA

IC = 4A，IB = 400mA

基极 - 发射极饱和电压（注9）VBE（sat） - 960 1100 mV IC = 4A，IB = 400mA

基极 - 发射极导通电压（注9）VBE（on） - 880 1000 mV IC = 4A，VCE = 5V

直流电流增益（注9）hFE

IC = 10mA，VCE = 5V

IC = 1A，VCE = 5V

IC = 4A，VCE = 5V

IC = 10A，VCE = 5V

电流增益带宽积（注9）fT - 90 - MHz VCE = 10V，IC = 100mA

f = 50MHz

输出电容（注9）Cobo - 22 - pF VCB = 20V，f = 1MHz

- 66

2130 - ns

NS

IC = 1A，VCC = 50V

IB1 = -IB2 = 100mA

注释：9。在脉冲条件下测量。脉冲宽度•300μs。工作周期•2％