MOS(场效应管)AOS AO3404A的应用及电路图
日期:2019-2-19AO3404A采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。
产品分类:分立半导体产品 晶体管
封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型
N沟道
漏源极电压(Vdss)30v
漏极电流Id(最大值)5.8A
导通电阻Rds(on)28毫欧
栅源电压Vgss+20v
安装类型:表面贴装(SMT)
湿气敏感性等级(MSL)
AO3404A采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。
产品分类:分立半导体产品 晶体管
封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型
N沟道
漏源极电压(Vdss)30v
漏极电流Id(最大值)5.8A
导通电阻Rds(on)28毫欧
栅源电压Vgss+20v
安装类型:表面贴装(SMT)
湿气敏感性等级(MSL)
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