PNP硅平面中等功率 高增益晶体管双极（BJT）单晶体管
日期：2019-2-23ZTX790A双极晶体管的特性
类型 - pnp
集电极 - 发射极电压：-40 V.
集电极 - 基极电压：-50 V
发射极 - 基极电压：-5 V.
集电极电流：-2 A
收集器耗散 - 1.5 W
直流电流增益（h fe） - 250
过渡频率 - 100 MHz
工作和存储结温范围-55至+ 200 °C
套餐 - TO-92
特征
40伏VCEO
IC = 1安培时增益为200
极低的饱和电压
绝对最大额定值。
参数符号值单位
集电极 - 基极电压VCBO -50 V.
集电极 - 发射极电压VCEO -40 V.
发射极 - 基极电压VEBO -5 V.
峰值脉冲电流ICM -6 A.
连续集电极电流IC -2 A.
实用功耗* Ptotp 1.5 W.
Tamb = 25°C时的功耗
降低25°C以上
Ptot 1
5.7 W
毫瓦/℃
操作和存储温度范围Tj：Tstg -55至+ 200°C
电气特性（Tamb = 25°C）
PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 单位条件。
收集器 - 基础细分
电压
V（BR）CBO -50 V IC =-100μA
收集器 - 发射器故障
电压
V（BR）CEO -40 V IC = -10mA *
发射器基础故障
电压
V（BR）EBO -5 V IE =-100μA
集电极截止电流ICBO-0.1μAVCB= -30V
发射极截止电流IEBO-0.1μAVEB= -4V
收集器 - 发射器饱和度
电压
VCE（sat）-0.25
-0.45
-0.75
IC = -500mA，IB = -5mA *
IC = -1A，IB = -10mA *
IC = -2A，IB = -50mA *
基射
饱和电压
VBE（sat）-1.0 V IC = -1A，IB = -10mA *
开启电压
VBE（on）-0.75 V IC = -1A，VCE = -2V *
静态正向电流
转移比率
hFE 300
250
200
150
800 IC = -10mA，VCE = -2V
IC = -500mA，VCE = -2V *
IC = -1A，VCE = -2V *
IC = -2A，VCE = -2V *
电气特性（Tamb = 25°C）
PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 单位条件。
转换频率fT 100 MHz IC = -50mA，VCE = -5V
F =50MHz的
输入电容Cibo 225 pF VEB = -0.5V，f = 1MHz
输出电容Cobo 24 pF VCB = -10V，f = 1MHz
600
IC = -500mA，IB1 = -50mA
IB2 = -50mA，VCC = -10V
热特性
PARAMETER SYMBOL MAX。 单元
热阻：连接到环境1
连接到Ambient2
案件的结合点
Rth（j-amb）1 Rth（j-amb）2聠Rth（j-case）175 116 70°C / W°C / W°C / W
产品规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商： Diodes Incorporated
产品分类： 双极晶体管 - BJT
RoHS指令： 细节
安装方式： 通孔
包装/案例： TO-92-3
晶体管极性： PNP
组态： 单
集电极 - 发射极电压VCEO Max： - 40 V
集电极 - 基极电压VCBO： - 50伏
发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压： - 0.75 V
最大直流集电极电流： 2 A.
增益带宽产品fT： 100 MHz
最低工作温度： - 55 C.
最高工作温度： + 150 C
系列： ZTX790
直流电流增益hFE最大值： 300V，10mA，2V
高度： 4.01毫米
长度： 4.77毫米
打包： 块
宽度： 2.41毫米
牌： Diodes Incorporated
连续收集器电流： - 2 A.
CNHTS： 8541210000
DC收集器/基座增益hfe Min： 300 V，10 mA，2 V，250 500 mA，2 V，200 A，1 A，2 V，150 A，2 A，2 V
HTS代码： 8541210095
MXHTS： 85412101
Pd - 功耗： 1000毫瓦
产品类别： BJTs - 双极晶体管
工厂包装数量： 4000
类别： 晶体管
TARIC： 8541210000
单重： 0.016000盎司
引脚配置（引脚）
ZTX792A采用塑料TO-92外壳制造。当看到平坦的一侧，引线朝下时，从晶体管出来的三个引线从左到右依次为发射极，基极和集电极引线。