ZXTN26020DMFTA高增益低Vcesat NPN晶体管

特征

高增益低Vcesat NPN晶体管

非常低的Rcesat

高ICM能力

1.5A连续电流额定值

超小型表面贴装封装

符合AEC-Q101高可靠性标准

不含铅，卤素和锑，符合RoHS标准（注1）

“绿色”设备（注2）

ESD额定值：400V-MM，8KV-HBM

机械数据

案例：DFN1411-3

•表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

•湿度敏感度：J-STD-020的1级

•端子：表面处理 - 镍引线框架上的NiPdAu。焊

按照MIL-STD-202，方法208

•重量：0.003克（近似值）

应用

•MOSFET和IGBT栅极驱动

•DC-DC转换

•低压IC和负载之间的接口

•LED驱动

产品状态标记卷轴尺寸（英寸）胶带宽度（mm）每卷数量

ZXTN26020DMFTA Active Z1 7 8 3000

最高评级

特征符号值单位

集电极 - 基极电压VCBO 20 V.

集电极 - 发射极电压VCEO 20 V.

发射极 - 基极电压VEBO 7 V.

连续集电极电流（注4）IC 1.5 A

峰值脉冲电流ICM 4 A.

基极电流IB 0.5 A.

热特性

特征符号值单位

功耗（注3）PD 1 W.

功耗（注4）PD 380 mW

热阻，连接到环境（注3）@TA = 25°CRθJA125°C / W.

热阻，与环境的连接（注3）@TA = 25°CRθJA330°C / W.

工作和存储温度范围TJ，TSTG -55至+ 150°C

封装外形尺寸

建议的垫布局