多功能日历时钟芯片DS1216

DS1216 SmartWatch的RAM和SmartWatch ROM的插座600 - 300mil宽的DIP插座，内置CMOS手表的功能，NV RAM控制器电路，和嵌入的锂能源来源。插座提供NV RAM解决方案从2K &TImes; 8的内存大小为512K &TImes; 8，从26引脚到32引脚的封装尺寸。当套接字是采用CMOS SRAM交配，它提供了一个完整的解决方案，内存波动相关的问题，并使用一个共同的能源来源，来维持的时间和日期。SmartWatch ROM的插座使用嵌入的锂源保持时间和日期 。的SmartWatch的一个主要特点是，手表的功能仍然是透明的RAM 。SmartWatch监视V CC为一个彻头彻尾的容忍条件。出现这种情况时，锂电池内部的能量来源是自动切换，写保护将无条件使能防止手表和RAM中的数据丢失。

操作

通过串行比特流上的模式识别建立与SmartWatch RAM的通信64位必须通过执行包含正确数据的64个连续写周期来匹配DQ0。在SmartWatch ROM上，使用A2和A0建立与时钟的通信OE或CE。在识别64位模式之前发生的所有访问都被定向到存储器。在模式匹配之后，接下来的64次读取和/或写入被定向到时钟，并且RAM是禁用。一旦建立了模式，接下来的64个读/写周期将被引导到RTC寄存器。当电源循环时，应在执行任何写操作之前执行64次读取，以确保RTC寄存器不写。如果RST位为零且RST引脚变为低电平，则忽略模式匹配在比赛序列中。如果在64位匹配期间发生读取，则也会终止模式匹配序列。

模式匹配RAM

通过控制串行比特流完成与计时寄存器之间的数据传输芯片使能（CE），输出使能（OE）和写使能（WE）。最初，读取周期到任何内存使用SmartWatch的CE和OE控制的位置启动模式识别序列将指针移动到64位比较寄存器的第一位。接下来，64个连续的写周期使用CE和WE控制SmartWatch执行。这64个写周期仅用于增益访问SmartWatch。因此，套接字中的内存的任何地址都是可接受的。然而，为获得对SmartWatch的访问而生成的写周期也是将数据写入到的位置交配RAM。管理此要求的首选方法是只留出一个地址位置RAM作为SmartWatch便笺簿。执行第一个写周期时，将其与第0个位进行比较64位比较寄存器。如果找到匹配，则指针递增到比较寄存器的下一个位置并等待下一个写周期。如果未找到匹配项，则指针不会前进并忽略所有后续写周期。如果在模式识别期间的任何时间发生读取周期，中止当前序列并重置比较寄存器指针。模式识别

对于如上所述的64个写周期，直到比较寄存器中的所有位都匹配为止（这位模式如图1所示。通过64位的正确匹配，SmartWatch已启用并且数据转移到计时寄存器或从计时寄存器转移可以继续。接下来的64个周期将导致SmartWatch在DQ0上接收或发送数据，具体取决于OE引脚或WE引脚的电平。周期到存储器块外部的其他位置可以与CE周期交错而不会中断模式识别序列或数据传输序列到SmartWatch。模式匹配ROM

通过模式识别64位串行比特流建立与SmartWatch的通信必须通过执行64个连续写周期来匹配，将地址位A2置为低电平地址位A0上的正确数据。 64个写周期仅用于访问SmartWatch。先要执行64个写周期中的第一个，应通过将A2保持为高电平来执行读周期。

图1

非挥发性控制器操作

DS1216 SmartWatch执行使CMOS RAM非易失性所需的电路功能。首先，a提供开关以引导来自电池或VCC电源的电源，具体取决于哪个电压更大。该开关的电压降低于0.2V。 SmartWatch提供的第二个功能是

电源故障检测，发生在VTP。 DS1216持续监控VCC电源。当VCC超出容差，比较器向芯片使能逻辑输出电源失效信号。第三个功能通过将芯片使能信号保持在VCC或VCC的0.2V以内的存储器来完成写保护电池。在标称电源条件下，存储器芯片使能信号将跟踪发送到插座的可充电信号，最大传播延迟为6ns。

图2